산업자원부 차세대 비휘발성 메모리사업단은 플래시메모리의 단점을 극복한 저항변화 메모리(ReRAM : Resistance Random Access Memory)소자 원천기술을 국내 연구팀이 세계 최초로 개발했다고 8일 밝혔다.

광주과학기술원에 따르면 이번에 개발한 저항변화메모리(ReRAM)는 데이터를 저장할 수 있는 메모리 특성 즉 0(off)과 1(on)상태를 번갈아 동작시킬 수 있는 핵심물질(단결정 스트론튬타이타늄옥사이드(SrTiO3))이다. 이 물질의 고유특성이 유지되도록 하는 표면처리공정 도 함께 개발했다고 밝혔다.

연구팀 황현상 교수는 "SrTiO3공정을 통해 제작된 단위 소자(Cell)의 주요 특성은 데이터의 저장상태가 10년 이상 유지된다"며 "실험결과 천만번이상 쓰기·지우기 동작이 가능한 것으로 확인돼 실용화 가능성이 매우 높은 것으로 보인다"고 말했다.

산자부 관계자는 "이번 세계 최초로 안정화된 저항변화 물질과 공정 개발이 성공으로 향후 핵심 원천기술의 선점 및 테라비트(Tera bit)급 고용량의 차세대 메모리 상용화의 시기를 최소 2-3년 정도 앞당길 것 예상된다"며 "오는 '15년 세계반도체 2강으로 도약하는데 크게 기여할 것으로 전망된다"고 밝혔다.